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臺灣MOCVD

MOCVD

MOCVD即金屬有機化合物化學氣相沉淀，是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。錸因其優(yōu)異的高溫性能，作為MOCVD的關(guān)鍵加熱部件使用。相比其它材料，純錸加熱部件具有電學性能更優(yōu)、壽命更長、更耐惡劣工作氣氛的顯著特點而受到用戶的青睞。

純度：≥99.99%

MOCVD雜質(zhì)含量表

元素	含量（≤，%）	元素	含量（≤，%）	元素	含量（≤，%）
Na	0.0005	Ni	0.0001	Bi	0.0001
Mg	0.0001	Cu	0.0001	Co	0.0001
Al	0.0001	Zn	0.0005	Fe	0.0005
Si	0.0005	As	0.0001	Pb	0.0001
P	0.0005	Zr	0.0001	Mn	0.0001
K	0.0005	Mo	0.0005	W	0.0005
Ca	0.0005	Cd	0.0001	Cr	0.0001
Ti	0.0001	Sn	0.0001	Ta	0.0001
V	0.0001	Sb	0.0001	——	——